Η Toshiba αναβαθμίζεται με την τεχνολογία xl

Η Toshiba ανακοίνωσε στη Σύνοδο Κορυφής Flash Memory ότι αναπτύσσει την τεχνολογία 3D XL-Flash, με έμφαση στη δημιουργία μνήμης 3D NAND χαμηλής καθυστέρησης που μπορεί να ανταγωνιστεί με τις αναδυόμενες τεχνολογίες μνήμης Optane και 3D XPoint. Η Toshiba αναφέρει ότι η νέα προσέγγιση στη μνήμη NAND με χαμηλή λανθάνουσα κατάσταση θα μπορούσε να μειώσει τις τιμές λανθάνουσας κατάστασης σε μόλις 1/10 της τρέχουσας τιμής NAND TLC του καταναλωτή.

Η τεχνολογία XL-Flash υπόσχεται να βελτιώσει την καθυστέρηση μνήμης 3D-NAND

Μια ενημερωμένη αρχιτεκτονική NAND με το XL-Flash θα μπορούσε να είναι ισοδύναμη με αυτή που κάνει η Samsung με την τεχνολογία Z-NAND, η οποία θα μπορούσε να μειώσει το κόστος παραγωγής σε σύγκριση με το Optane. Η Toshiba θα χρησιμοποιήσει την τεχνολογία Flash BiCS, αλλά το XL-Flash θα αναπτυχθεί, τουλάχιστον αρχικά, σε εφαρμογές SLC, προκειμένου να βελτιωθεί η απόδοση (7 μικροδευτερόλεπτα χρόνου απόκρισης έναντι 30 μικροδευτερολέπτων QLC). Φυσικά, αυτό θα μειώσει την πυκνότητα της αποθήκευσης, αλλά ας θυμηθούμε ότι ο στόχος είναι να προσφέρουμε απόδοση παρόμοια με το Optane και ίση ή καλύτερη πυκνότητα σε χαμηλότερη τιμή.

Τα βήματα που έχει πάρει η Toshiba για να αυξήσουν την απόδοσή της περιλαμβάνουν τη μείωση των γραμμών bit και των γραμμών λέξεων, οι εσωτερικές συνδέσεις μεταξύ των κυψελών ή οι βραχύτερες διαδρομές μεταξύ των κυττάρων σημαίνει χαμηλότερη λανθάνουσα κατάσταση και καλύτερη απόδοση. Επιπλέον, ο παραλληλισμός και η απόδοση έχουν αυξηθεί προσθέτοντας περισσότερα φλας, ανεξάρτητες περιοχές που μπορούν να ανταποκριθούν ταυτόχρονα σε αιτήματα δεδομένων.

Το XL-Flash αναμένεται να χρησιμοποιηθεί ως μνήμη προσωρινής μνήμης σε δίσκους QLC υψηλής πυκνότητας, καθώς και σε αυτόνομα προϊόντα που αποσκοπούν στην αποθάρρυνση του τι προσφέρει η μνήμη Optane της Intel.

Η Toshiba φαίνεται φιλόδοξη με την πρωτοβουλία XL-Flash και πρέπει να είναι ένας από τους μεγαλύτερους κατασκευαστές μνήμης στον κόσμο.

Γραμματοσειρά Techpowerup