Η Samsung ξεκινά μαζική παραγωγή των αναμνήσεών της v

Η Samsung, παγκόσμιος ηγέτης στην κατασκευή τσιπ μνήμης, ανακοίνωσε ότι ξεκίνησε μαζική παραγωγή της νέας τεχνολογίας V-NAND των 64 επιπέδων, η οποία φτάνει την πυκνότητα των 256 Gb ανά τσιπ, για να επιτρέψει μια νέα γενιά συσκευών με υψηλότερη χωρητικότητα αποθήκευσης.

Νέες μνήμες V-NAND των 64 επιπέδων από τη Samsung

Η Samsung ξεκίνησε ήδη να κατασκευάζει τα νέα τσιπ V6 NAND της τάξης των 256Gb τον Ιανουάριο, από τότε που εργάζεται για να προσφέρει στους χρήστες μια νέα γενιά συσκευών με μεγάλη χωρητικότητα αποθήκευσης, συμπεριλαμβανομένων των smartphones, SSDs και UFS μνήμης. ενσωματωμένο. Το νέο βήμα ήταν να αρχίσει η μαζική παραγωγή αυτής της νέας τεχνολογίας μνήμης που θα καλύψει το 50% της μηνιαίας παραγωγής της μέχρι το τέλος του έτους.

5 λόγοι για να αγοράσει το Samsung Galaxy S8

Η νέα μνήμη V-NAND των 64 επιπέδων της Samsung έχει ταχύτητα μεταφοράς 1 Gbps, καθιστώντας την ταχύτερη διαθέσιμη στην αγορά. Τα πιο σημαντικά χαρακτηριστικά του συνεχίζουν με χρόνο προγραμματισμού σελίδας μόλις 500 μικροδευτερόλεπτα, είναι επίσης ο ταχύτερος στην αγορά από αυτή την άποψη και 1, 5 φορές ταχύτερος από την προηγούμενη μνήμη των 48 επιπέδων της εταιρείας. Αυτά τα στοιχεία απόδοσης μεταφράζονται σε κέρδος παραγωγικότητας 30% σε σύγκριση με την προηγούμενη μνήμη 48 στρώσεων.

Συνεχίζουμε με την ενεργειακή αποδοτικότητα και ότι τα νέα τσιπ απαιτούν τάση εισόδου 2.5V, 30% μικρότερη από την προηγούμενη μνήμη 48 στρώσεων, έτσι ώστε η ενεργειακή απόδοση να είναι καλύτερη και η κατανάλωση μπαταριών κινητών συσκευών η ολοκλήρωση θα είναι μικρότερη. Η αξιοπιστία των νέων μαρκών μνήμης βελτιώθηκε επίσης κατά 20%. Όλες αυτές οι βελτιώσεις έγιναν δυνατές με αρκετές αλλαγές στην προηγμένη διαδικασία παραγωγής V-NAND που χρησιμοποιείται από την εταιρεία της Νότιας Κορέας.

Όλα αυτά έχουν προκύψει από μια έρευνα 15 ετών και περισσότερα από 500 διπλώματα ευρεσιτεχνίας στη δομή της μνήμης V-NAND, προκειμένου να επιτευχθεί ο καλύτερος δυνατός σχεδιασμός. Η Samsung έχει θέσει τα θεμέλια για να συνεχίσει να βελτιώνει την τεχνολογία της μνήμης, το επόμενο βήμα είναι τα τσιπ 90 στρώσεων χωρητικότητας 1 Tb.

Πηγή: samsung