Η Samsung ξεκινά μαζική παραγωγή της δεύτερης γενιάς 10nm finfet 10lpp

Η Samsung ανακοίνωσε σήμερα την έναρξη της μαζικής παραγωγής μαρκών με βάση τη διεργασία κατασκευής 10nm FinFET 10LPP δεύτερης γενιάς, επιτυγχάνοντας έτσι ένα νέο επίπεδο απόδοσης και ενεργειακής απόδοσης.

Η Samsung έχει ήδη έτοιμο το FinNet 10LPP 10 nm

Αυτή η νέα διαδικασία κατασκευής ονομάστηκε 10 nm FinFET 10LPP (Χαμηλή Ισχύς Plus) και χαρακτηρίζεται από τη μείωση της κατανάλωσης ενέργειας κατά 15% σε σύγκριση με την πρώτη έκδοση του 10 nm FinFET, ταυτόχρονα βελτιώνει την απόδοση κατά 10%, έτσι έχουμε μια αρκετά σημαντική βελτίωση. Αυτό θα έχει ως αποτέλεσμα νέες κινητές συσκευές με μεγαλύτερη αυτονομία και ισχυρότερη για κάθε είδους εργασίες.

Η AMD θα χρησιμοποιήσει μια διαδικασία 12nm LP FinFET για Ryzen και Vega δεύτερης γενιάς

Τα πρώτα SoCs που κατασκευάζονται με αυτή τη διαδικασία σε 10nm FinFET 10LPP θα φθάσουν στις αρχές του 2018, αν και η διαθεσιμότητά τους θα είναι αρκετά περιορισμένη στην αρχή, όπως συμβαίνει συνήθως σε όλες τις γενιές.

"Θα είμαστε σε θέση να εξυπηρετήσουμε καλύτερα τους πελάτες μας με τη μετάβαση από 10LPE σε 10LPP με καλύτερες επιδόσεις και υψηλότερες αρχικές επιδόσεις", δήλωσε ο Ryan Lee, αντιπρόεδρος του Foundry Marketing στη Samsung Electronics. "Η Samsung με τη μακρά εμπειρία της στη στρατηγική της διεργασίας 10nm θα συνεχίσει να εξελίσσει την τεχνολογία από 10nm σε 8LPP για να προσφέρει στους πελάτες ξεκάθαρα ανταγωνιστικά πλεονεκτήματα για ένα ευρύ φάσμα εφαρμογών".

Η Samsung ανακοίνωσε επίσης ότι η νέα της γραμμή παραγωγής S3 στην Κορέα θα αρχίσει να παράγει τσιπ 10nm και μελλοντικές λιθογραφίες όπως το 7nm FinFET με τεχνολογία EUV που θα παραχθεί μαζικά στο τελευταίο εργοστάσιο.

Γραμματοσειρά Techpowerup