Η Toshiba αναπτύσσει την πρώτη μνήμη nand qlc 4-bit ανά κύτταρο
Πίνακας περιεχομένων:
Η Toshiba, ένας από τους κορυφαίους κατασκευαστές μνήμης NAND, ανακοίνωσε σήμερα τη νέα τεχνολογία μνήμης NAND QLC με υψηλότερη πυκνότητα αποθήκευσης από αυτήν που προσφέρει η TLC για μια νέα γενιά συσκευών υψηλής χωρητικότητας σε λογικές τιμές.
Η Toshiba διαθέτει ήδη την πρώτη μνήμη NAND QLC στον κόσμο
Η νέα μνήμη BiCS FLASH 3D της Toshiba βασίζεται στην τεχνολογία QLC για να γίνει η πρώτη μνήμη 3D στον κόσμο ικανή να αποθηκεύει συνολικά 4 bits ανά κελί. Αυτά τα νέα τσιπ προσφέρουν χωρητικότητα 768 gigabit, το οποίο είναι σημαντικά υψηλότερο από το 512 gigabit που επιτυγχάνεται με τρέχουσες μνήμες TLC.
Συνιστούμε την ανάγνωση SSD με μνήμες TLC και MLC
Η νέα μνήμη QLC BiCS FLASH της Toshiba είναι χτισμένη σε σχεδιασμό 64 επιπέδων για να επιτευχθεί χωρητικότητα ανά ψηφίο 768 gigabit, η οποία ισοδυναμεί με 96 gigabyte και επιτρέπει συσκευές με χωρητικότητα τουλάχιστον 1, 5 TB να προσφέρονται με χρήση από μια στοίβα 16 πεθαίνει σε ένα ενιαίο πακέτο. Με αυτή την Toshiba γίνεται η κορυφαία εταιρεία στην πυκνότητα αποθήκευσης flash.
Οι αποστολές των πρώτων δειγμάτων της νέας μνήμης QLC της Toshiba θα ξεκινήσουν τον Ιούνιο, έτσι ώστε οι κατασκευαστές SSD και οι υπεύθυνοι επεξεργασίας τους να μπορέσουν να ξεκινήσουν το συντομότερο δυνατό. Τα πρώτα δείγματα θα εμφανιστούν επίσης στο γεγονός της συνόδου κορυφής μνήμης Flash που θα πραγματοποιηθεί μεταξύ 7-10 Αυγούστου στη Santa Clara.
Θα δούμε αν η άφιξη των QLC μνημών συνοδεύεται από μια σημαντική νέα πτώση στις τιμές των SSD, οι οποίες για μήνες δεν έχουν σταματήσει να αυξάνονται δεδομένης της υψηλής ζήτησης για μνήμες NAND από τους κατασκευαστές smartphone.
Πηγή: techpowerup
Η Hynix κυκλοφορεί την πρώτη μνήμη Flash Flash Memory της Nand CTF 4d 96-Layer
Η SK Hynix κυκλοφόρησε το πρώτο παγκοσμίως 96-στρώμα 412 ND flash 96-επιπέδων (Flash Trap Trap) 96 ιντσών. Οι μονάδες 1TB θα φτάσουν το επόμενο έτος.
Το Western Digital αναπτύσσει μνήμη flash για να ανταγωνιστεί το optane
Η νέα μνήμη Western Digital προορίζεται να ταιριάζει κάπου μεταξύ του 3D NAND και της συμβατικής DRAM
Η Samsung αναπτύσσει την πρώτη τάση 10nm τρίτης γενιάς
Η Samsung ανακοίνωσε σήμερα ότι ανέπτυξε για πρώτη φορά στη βιομηχανία DRAM διπλής ταχύτητας 10 nanometer (1z-nm) 8 Gigabit (Gb).