Η Samsung ήδη μαζικά παράγει τη δεύτερη γενιά μνήμης lpddr4x των 10 νανομέτρων

Η Samsung Electronics, παγκόσμιος ηγέτης στην τεχνολογία μνήμης υψηλής απόδοσης για όλους τους τύπους ηλεκτρονικών συσκευών, ανακοίνωσε σήμερα ότι έχει αρχίσει μαζική παραγωγή της δεύτερης γενιάς μνήμης LPDDR4X 10 nanometer.

Η Samsung προσφέρει λεπτομέρειες για τις μνήμες LPDDR4X της δεύτερης γενιάς των 10 νανομέτρων

Αυτά τα νέα τσιπ μνήμης LPDDR4X των 10 νανομέτρων από τη Samsung θα βελτιώσουν την ενεργειακή αποδοτικότητα και θα μειώσουν την κατανάλωση μπαταριών από smartphone premium και άλλες τρέχουσες εφαρμογές κινητής τηλεφωνίας. Η Samsung ισχυρίζεται ότι τα νέα μάρκες προσφέρουν έως 10% μείωση ισχύος και διατηρούν το ίδιο ρυθμό δεδομένων 4, 266 Mb / s ως τσιπ πρώτης γενιάς στα 10nm. Όλα αυτά θα επιτρέψουν σημαντικά βελτιωμένες λύσεις για την επόμενη γενιά κινητών συσκευών που θα έπρεπε να φτάσουν στην αγορά αργότερα εντός του έτους ή κατά το πρώτο μέρος του 2019.

Συνιστούμε να διαβάσετε την ανάρτησή μας στην Toshiba Memory Corporation ανακοινώνει τα τσιπ της NAND BiCS QLC 96 επιπέδων

Η Samsung θα επεκτείνει τη γραμμή παραγωγής της μνήμης Premium DRAM κατά περισσότερο από 70 τοις εκατό για να καλύψει την τρέχουσα υψηλή ζήτηση, η οποία αναμένεται να αυξηθεί. Αυτή η πρωτοβουλία ξεκίνησε με τη μαζική παραγωγή του πρώτου διακομιστή DDR4 DRM 8GB και 10nm τον περασμένο Νοέμβριο και συνεχίζεται με αυτό το τσιπ μνήμης 16Gb LPDDR4X μόνο οκτώ μήνες αργότερα.

Η Samsung δημιούργησε ένα πακέτο 8GB LPDDR4X DRAM συνδυάζοντας τέσσερα μάρκες DRD LPDDR4X 16Gb 10nm DRD. Αυτό το πακέτο τεσσάρων καναλιών μπορεί να πραγματοποιήσει ρυθμό δεδομένων 34, 1 GB ανά δευτερόλεπτο και το πάχος του έχει μειωθεί κατά περισσότερο από 20% από τη συσκευασία πρώτης γενιάς, επιτρέποντας στους OEMs να σχεδιάζουν λεπτές και πιο αποτελεσματικές κινητές συσκευές.

Με τις εξελίξεις στη μνήμη LPDDR4X, η Samsung θα επεκτείνει γρήγορα το μερίδιο αγοράς της κινητής DRAM, παρέχοντας μια ποικιλία προϊόντων υψηλής χωρητικότητας.

Γραμματοσειρά Techpowerup