Η Κιοξία δείχνει έναν πιθανό διάδοχο στο nand '' twin bics flash ''

Η Kioxia, παλαιότερα γνωστή ως Toshiba Memory, δημιούργησε έναν διάδοχο στη μνήμη flash NAND 3D, η οποία προσφέρει μεγαλύτερη πυκνότητα αποθήκευσης σε σύγκριση με το NAND flash της QLC.

Η τεχνολογία Kioxia Twin BiCS Flash, η πυκνότητα μνήμης NAND

Αυτή η νέα τεχνολογία, η οποία ανακοινώθηκε την Πέμπτη, επιτρέπει στα μνήμη μάρκες να έχουν μικρότερα κελιά και περισσότερη αποθήκευση ανά κύτταρο, γεγονός που μπορεί να αυξήσει σημαντικά την πυκνότητα μνήμης ανά κύτταρο.

Η Kioxia ανακοίνωσε την πρώτη παγκόσμια " τρισδιάστατη ημικυκλική δομή κυψελών μνήμης flash split-gate" παγκοσμίως, που ονομάζεται Twin BiCS Flash. Αυτό είναι διαφορετικό από το άλλο προϊόν Kioxia, το BiCS5 Flash. Το BiCS5 Flash χρησιμοποιεί κυκλικά κύτταρα παγίδευσης φόρτισης, ενώ το Twin BiCS Flash χρησιμοποιεί ημικυκλικά κυψελωτά κυψέλες. Η νέα δομή διευρύνει το παράθυρο προγραμματισμού του κυττάρου, αν και τα κύτταρα είναι φυσικά μικρότερα σε σύγκριση με την τεχνολογία CT.

Το Twin BiCS flash είναι αυτή τη στιγμή η καλύτερη επιλογή να επιτύχει με την τεχνολογία NAND της QLC, αν και η μελλοντική εφαρμογή αυτού του τσιπ είναι ακόμα άγνωστη. Αυτό το νέο τσιπ αυξάνει σημαντικά την αποθήκευση της μνήμης flash, η οποία ήταν ένα μεγάλο πρόβλημα για τους κατασκευαστές, αν και υπάρχουν επί του παρόντος τρεις σχολές σκέψης για το πώς να το διορθώσετε.

Μία από τις επιλογές είναι να αυξηθεί ο αριθμός των στρώσεων. Οι κατασκευαστές έχουν πρόσφατα εγκρίνει τσιπ NAND flash 96 επιπέδων και έχουν αποκτήσει 128 NAND flash chips. Ένας άλλος τρόπος για να αυξηθεί η πυκνότητα της τεχνολογίας NAND flash είναι να μειωθεί το μέγεθος των κυττάρων, επιτρέποντας σε περισσότερα κύτταρα να τοποθετηθούν σε ένα μόνο στρώμα.

Επισκεφτείτε τον οδηγό μας σχετικά με τους καλύτερους δίσκους SSD στην αγορά

Ο τελευταίος τρόπος για να αυξηθεί η πυκνότητα της μνήμης NAND είναι να βελτιωθεί το συνολικό bit ανά κύτταρο, το οποίο χρησιμοποιείται περισσότερο από τους κατασκευαστές. Αυτή η μέθοδος μας επέτρεψε να αποκτήσουμε SLC, MLC, TLC και το πιο πρόσφατο είναι το QLC NAND, το οποίο αυξάνει τον αριθμό των δυαδικών ψηφίων ανά κύτταρο κατά ένα σε σύγκριση με την προηγούμενη τεχνολογία.

Αυτή η νεότερη τεχνολογία, το Twin BiCS Flash, βρίσκεται ακόμα στη φάση της έρευνας και ανάπτυξης και απέχει πολλά χρόνια από την εφαρμογή του. Αν και τα τσιπ 128 NAND flash της BiCS5 είναι σχεδιασμένα για να χτυπήσουν την αγορά το 2020, οι κατασκευαστές SK Hynix και Samsung κατάφεραν να ξεπεράσουν τα 100 στρώματα στις αρχές του 2019, με τα τσιπ NAND 128-layer NAND και V-NAND v6.

Wccftech γραμματοσειρά